Samsung stellt neue 840 EVO SSD vor

Auf der diesjährigen „Samsung SSD Global Summit 2013” in Korea hat der Hersteller die neue 840 EVO SSD vorgestellt. Der Nachfolger der SSD 840, welche letztes Jahr vorgestellt wurde, wird mit 120, 250, 500, 750 GByte und 1 TByte auf den Markt kommen. Die 840 EVO ist mit 19-nm-TLC-NAND bestückt, beim Vorgänger kommt noch TLC-NAND mit 21 nm Strukturbreite zum Einsatz. Auch der Controller bekommt ein Update spendiert und läuft unter dem Namen MEX (Vorgänger: MDX). Der verbaute ARM Cortex-R4 arbeitet nun mit 400 MHz statt wie bisher mit 300 MHz. Neu ist ebenfalls das Feature „Dynamic Thermal Guard“. Sobald die Temperatur der SSD 70 °C übersteigt, wird die SSD gedrosselt, bis sich die Temperatur wieder im normalen Bereich befindet. Die 840 EVO SSD ist 7 Millimeter hoch und verfügt über eine SATA 6Gb/s Schnittstelle.

Im Vergleich zur SSD 840 Series soll die 840 EVO vor allem bei der Schreibperformance deutlich zulegen. Samsung gibt bis zu 520 MB/s beim Schreiben an. Das kleinste Modell mit 120 GByte soll immerhin auf 410 MB/s kommen. Die Geschwindigkeit beim sequentiellen Lesen beträgt für alle Varianten 540 MB/s. Die höhere Performance kommt teilweise durch eine optimierte Firmware sowie den neuen Controller. Der andere Teil soll durch die neue „Turbo Write“-Technik kommen. Dabei wird ein Bereich das Flash-Speichers als Pseudo-SLC-NAND angesteuert und fungiert somit als zusätzlicher Cache zwischen DRAM-Cache und Flash-Speicher. Ein ähnliches Konzept kommt auch bei der SanDisk Extreme II zum Einsatz.

Bei den Preisen hat Samsung bisher nur die US-Preise veröffentlicht:

• 120 GByte: 109,99 US-Dollar
• 250 GByte: 189,99 US-Dollar
• 500 GByte: 369,99 US-Dollar
• 750 GByte: 529,99 US-Dollar
• 1 TByte: 649,99 US-Dollar

Die neuen Samsung 840 EVO SSDs sollen ab August erhältlich sein. Die Garantie beträgt drei Jahre.

Hersteller Serie	Samsung 840 EVO
Kapazität	120 GByte	250 GByte	500 GByte	750 GByte	1 TByte
seq. Lesen	bis zu 540 MB/s
seq. Schreiben	bis zu 410 MB/s	bis zu 520 MB/s
Random Read 4KB QD32	bis zu 94.000 IOPS	bis zu 97.000 IOPS	bis zu 98.000 IOPS
Random Write 4KB QD32	bis zu 35.000 IOPS	bis zu 66.000 IOPS	bis zu 90.000 IOPS
Flash-Speicher	19 nm TLC NAND
Cache	256 MByte	512 MByte			1.024 MByte
Controller	Samsung MEX (ARM Cortex-R4 400 MHz)
Interface	SATA 6Gb/s
Formfaktor	2,5 Zoll, 7,0 mm Bauhöhe
Herstellergarantie	3 Jahre